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Photoreceivers

Red Wave Labs Ltd,では高品質なエレクトロニクス製品の設計、製造をしています。製品は、過酷な環境でも使用でき、コンパクトで軽量に設計されています。

Red Wave Labs Ltd,のローノイズフォトレシーバは、感度波長範囲ごとに数種類がございます。ゲイン切り替え&ローパスフィルタ付きタイプ、ゲイン固定タイプがございます。

近〜中赤外用 1000nm〜3600nm

D104 ローノイズ10MHz切替付フォトレシーバ ・D104 Low noise 10 MHz switchable photoreceiver

D104は、Extended InGaAsSbを使用したアンプ付フォトレシーバーです。
感度波長範囲は1000nm〜3500nmで、ローパスフィルタ付きです。
ゲインの切り替えは10段階になります。
本体に一体化された温度コントローラは低ノイズでも作動させるために-25℃を維持します。
ハイインピーダンス&出力抵抗50Ωで駆動する機能を備えています。
3つの取付穴(8-32タップもしくはM4)、110〜120 VAC電源もしくは220〜240 VAC電源付。
高ゲインでは使用されているオペアンプの有限利得帯域幅積による低い帯域幅を提供します。

基本仕様

特長 Extended InGaAsSbダイオード、受光部直径0.3mm
感度波長範囲1000nm〜3500nm (TEC 2段階)
可変トランスインピーダンスゲイン 6.6 x 102 ... 2 x 107V/A
帯域幅 DC〜10MHz
アプリケーション 一般的なオプトエレクトロニック測定
分光測定、OEMアプリケーション
Specifications Parameter Value
検出器 材質 Extended InGaAsSb
受光部直径 0.3 mm
感度波長範囲 1000 nm〜3500 nm
受光感度 0.9 A/W
ゲイン 10段階ロータリー
スイッチ
2x107, 6x106, 2x106, 6.2x105, 2.1x105,
6.2x104, 2.1x104, 6.6x103, 2.1x103, 6.6x102 V/A
応答周波数 90 kHz, 270 kHz, 500 kHz, 1.5 MHz, 4.5 MHz,
8 MHz, 8 MHz, 10 MHz, 10 MHz, 10 MHz
ローパスフィルタ 10段階ロータリー
スイッチ
10 MHz, 3 MHz, 1 MHz, 300 kHz, 100 kHz,
30 kHz, 10 kHz, 3 kHz, 1 kHz, 300 Hz
On / Off スイッチ トグルスイッチ
入力 NEP ノイズ等価電力 最大ゲインで15 pW /√Hz
最大入射光量 20 mW CW
出力 インピーダンス 50 Ω
ノイズ(RMS) 10 mV以下
オフセット 外部調整
電圧 0-10 V, 0-5 V at 50 Ω load
コネクタ SMB
寸法 幅x高さx奥行き 50.8 X 50.8 X 80.0 mm
重量 300 g
電源 AC-DCコンバータ 100-120 VAC / USA, 220-240 VAC / EC or ± 15 V @ 200mA +5V @ 1.5 A.
AC adapter provided with photoreceiver
保存温度範囲 -20℃〜80℃
動作温度範囲 -10℃〜40℃

D104(PDF 169KB)


D124 ローノイズ100MHzフォトレシーバ ・D124 Low noise 100 MHz photoreceiver

D124は、Extended InGaAsSbを使用したアンプ付フォトレシーバーです。
感度波長範囲は1900nm〜3600nmになります。
本体に一体化された温度コントローラは低ノイズでも作動させるために-25℃を維持します。
出力抵抗50Ωで、3つの取付穴(8-32タップもしくはM4)付きです。

基本仕様

特長 Extended InGaAsSbダイオード、受光部直径0.3mm
感度波長範囲1900nm〜3600nm
トランスインピーダンスゲイン 2.5 x 104 V/A
帯域幅 DC〜100MHz
アプリケーション 一般的なオプトエレクトロニック測定
分光測定、OEMアプリケーション
Specifications Parameter Value
検出器 材質 Extended InGaAsSb
受光部直径 0.3 mm
感度波長範囲 1900 nm〜3600 nm
受光感度 0.9 A/W at peak (3 μm)
ゲイン 固定 2.5 x 104 V/A
応答周波数 DC〜100 MHz
On / Off スイッチ トグルスイッチ
入力 NEP ノイズ等価電力 最小80 pW/√Hz
最大入射光量 20 mW CW
出力 インピーダンス 50 Ω
ノイズ(RMS) 20 mV以下
オフセット 外部調整
電圧 0-5 V, 0-2.5 V at 50 Ω load. High impedance can cause oscillations.
コネクタ SMB
寸法 幅x高さx奥行き 50.8 X 50.8 X 80.0 mm
重量 300 g
電源 バナナプラグ付き電源ケーブル ± 15 V @ 200mA +5V @ 1.5 A.
保存温度範囲 -20℃〜80℃
動作温度範囲 -10℃〜40℃

D124(PDF 148KB)


近〜中赤外用 900nm〜2500nm

D103 ローノイズ10MHz切替付フォトレシーバ ・D103 Low noise 10 MHz switchable photoreceiver

D103は、Extended InGaAsを使用したアンプ付フォトレシーバーです。
感度波長範囲は900nm〜2500nmで、ローパスフィルタ付きです。
ゲインの切り替えは10段階になります。
本体に一体化された温度コントローラは低ノイズでも作動させるために-25℃を維持します。
ハイインピーダンス&出力抵抗50Ωで駆動する機能を備えています。
3つの取付穴(8-32タップもしくはM4)、110〜120 VAC電源もしくは220〜240 VAC電源付。
高ゲインでは使用されているオペアンプの有限利得帯域幅積による低い帯域幅を提供します。

基本仕様

特長 Extended InGaAsダイオード、受光部直径0.3mm
感度波長範囲900nm〜2500nm
可変トランスインピーダンスゲイン 6.6 x 102 ... 2 x 107V/A
帯域幅 DC〜10MHz
アプリケーション 一般的なオプトエレクトロニック測定
分光測定、OEMアプリケーション
Specifications Parameter Value
検出器 材質 Extended InGaAs-PIN
受光部直径 0.3 mm
感度波長範囲 900 nm〜2500 nm
受光感度 0.9 A/W
ゲイン 10段階ロータリー
スイッチ
2x107, 6x106, 2x106, 6.2x105, 2.1x105,
6.2x104, 2.1x104, 6.6x103, 2.1x103, 6.6x102 V/A
応答周波数 90 kHz, 270 kHz, 500 kHz, 1.5 MHz, 4.5 MHz,
8 MHz, 8 MHz, 10 MHz, 10 MHz, 10 MHz
ローパスフィルタ 10段階ロータリー
スイッチ
10 MHz, 3 MHz, 1 MHz, 300 kHz, 100 kHz,
30 kHz, 10 kHz, 3 kHz, 1 kHz, 300 Hz
On / Off スイッチ トグルスイッチ
入力 NEP ノイズ等価電力 最大ゲインで最小 4pW/√Hz
最大入射光量 20 mW CW
出力 インピーダンス 50 Ω
ノイズ(RMS) 2 mV以下, 上位3段のゲインにて9 mV以下
オフセット 外部調整
電圧 0-10 V, 0-5 V at 50 Ω load
コネクタ SMB
寸法 幅x高さx奥行き 50.8 X 50.8 X 80.0 mm
重量 300 g
電源 AC-DCコンバータ 100-120 VAC / USA, 220-240 VAC / EC or ± 15 V @ 200mA +5V @ 1.5 A.
AC adapter provided with photoreceiver
保存温度範囲 -20℃〜80℃
動作温度範囲 -10℃〜40℃

D103(PDF 167KB)


D123 ローノイズ100MHzフォトレシーバ ・D123 Low noise 100 MHz photoreceiver

D123は、Extended InGaAsを使用したアンプ付フォトレシーバーです。
感度波長範囲は900nm〜2500nmになります。
本体に一体化された温度コントローラは低ノイズでも作動させるために-25℃を維持します。
出力抵抗50Ωで、3つの取付穴(8-32タップもしくはM4)が付きます。

基本仕様

特長 Extended InGaAsダイオード、受光部直径0.3mm
感度波長範囲900nm〜2500nm
トランスインピーダンスゲイン 5 x 104 V/A
帯域幅 DC〜100MHz
アプリケーション 一般的なオプトエレクトロニック測定
分光測定、OEMアプリケーション
Specifications Parameter Value
検出器 材質 Extended InGaAs
受光部直径 0.3 mm
感度波長範囲 900 nm〜2500 nm
受光感度 0.9 A/W
ゲイン 固定 5 x 104 V/A
応答周波数 DC〜100 MHz
On / Off スイッチ トグルスイッチ
入力 NEP ノイズ等価電力 最小15 pW/√Hz
最大入射光量 20 mW CW
出力 インピーダンス 50 Ω
ノイズ(RMS) 15 mV以下
オフセット 外部調整
電圧 0-10 V, 0-5 V at 50 Ω load
コネクタ SMB
寸法 幅x高さx奥行き 50.8 X 50.8 X 80.0 mm
重量 300 g
電源 バナナプラグ付き電源ケーブル ± 15 V @ 200mA +5V @ 1.5 A.
保存温度範囲 -20℃〜80℃
動作温度範囲 -10℃〜40℃

D123(PDF 148KB)


近〜中赤外用 900nm〜1700nm

D100 ローノイズ10MHz切替付フォトレシーバ ・D100 Low noise 10 MHz switchable photoreceiver

D100は、InGaAsを使用したアンプ付フォトレシーバーです。
感度波長範囲は900nm〜1700nmで、ローパスフィルタ付きです。
ハイインピーダンス&出力抵抗50Ωで駆動する機能を備えています。
3つの取付穴(8-32タップもしくはM4)、110〜120 VAC電源もしくは220〜240 VAC電源付。
高ゲインでは使用されているオペアンプの有限利得帯域幅積による低い帯域幅を提供します。

基本仕様

特長 InGaAs PIN-ダイオード、受光部直径0.3mm
感度波長範囲900nm〜1700nm
可変トランスインピーダンスゲイン 6.6 x 102 ... 2 x 107V/A
帯域幅 DC〜10MHz
アプリケーション 一般的なオプトエレクトロニック測定
分光測定、OEMアプリケーション
Specifications Parameter Value
検出器 材質 InGaAs-PIN
受光部直径 0.3 mm
感度波長範囲 900 nm〜1700 nm
受光感度 0.9 A/W
ゲイン 10段階ロータリー
スイッチ
2x107, 6x106, 2x106, 6.2x105, 2.1x105,
6.2x104, 2.1x104, 6.6x103, 2.1x103, 6.6x102 V/A
応答周波数 90 kHz, 270 kHz, 500 kHz, 1.5 MHz, 4.5 MHz,
8 MHz, 8 MHz, 10 MHz, 10 MHz, 10 MHz
ローパスフィルタ 10段階ロータリー
スイッチ
10 MHz, 3 MHz, 1 MHz, 300 kHz, 100 kHz,
30 kHz, 10 kHz, 3 kHz, 1 kHz, 300 Hz
On / Off スイッチ トグルスイッチ
入力 NEP ノイズ等価電力 最大ゲインで最小0.65 pW/√Hz
最大入射光量 20 mW CW
出力 インピーダンス 50 Ω
ノイズ(RMS) 2 mV以下, 上位3段のゲインにて4 mV以下
オフセット 20 mV以下、上位2段のゲインにて120 mV以下
電圧 0-10 V, 0-5 V at 50 Ω load
コネクタ SMB
寸法 幅x高さx奥行き 50.8 x 25.4 x 69.0 mm
重量 100 g
電源 AC-DCコンバータ 100-120 VAC / USA, 220-240 VAC / EC or ± 15 V @ 200mA.
AC adapter provided with photoreceiver
保存温度範囲 -20℃〜80℃
動作温度範囲 -10℃〜60℃

D100(PDF 203KB)


D120 ローノイズ150MHzフォトレシーバ ・D120 Low noise 150 MHz photoreceiver

D120は、InGaAsを使用したアンプ付フォトレシーバーです。
感度波長範囲は900nm〜1700nmになります。
ハイインピーダンス&出力抵抗50Ωで駆動する機能を備えています。
3つの取付穴(8-32タップもしくはM4)、110〜120 VAC電源もしくは220〜240 VAC電源付。

基本仕様

特長 InGaAs-PINダイオード、受光部直径0.3mm
感度波長範囲900nm〜1700nm
帯域幅 DC〜150MHz
アプリケーション 一般的なオプトエレクトロニック測定
分光測定、OEMアプリケーション
Specifications Parameter Value
検出器 材質 InGaAs-PIN
受光部直径 0.3mm
感度波長範囲 900nm〜1700nm
受光感度 0.9 A/W
ゲイン 1x105 V/A
応答周波数 DC〜150MHz(typical)
On / Off スイッチ トグルスイッチ
入力 NEP ノイズ等価電力 2.5 pW/√Hz at DC-10 MHz, 6.0 pW/√Hz at 10-150 MHz
最大入射光量 10 mW CW
出力 インピーダンス 50 Ω
ノイズ(RMS) 7 mV以下
オフセット 50 mV以下
電圧 0-5 V, 0-2.5 V at 50 Ω load
コネクタ SMB
寸法 幅x高さx奥行き 50.8 x 25.4 x 69.0 mm
重量 100 g
電源 AC-DC コンバータ 100-120 VAC / USA, 220-240 VAC / EC or ± 15 V @ 200mA.
AC adapter provided with photoreceiver
保存温度範囲 -20℃〜80℃
動作温度範囲 -10℃〜60℃

D120(PDF 170KB)


近紫外〜近赤外用 300nm〜1000nm

D101 ローノイズ10MHz切替付フォトレシーバ ・D101 Low noise 10 MHz switchable photoreceiver

D101は、Siを使用したアンプ付フォトレシーバーです。
感度波長範囲は300nm〜1000nmで、ローパスフィルタ付きです。
ゲインの切り替えは10段階になります。
ハイインピーダンス&出力抵抗50Ωで駆動する機能を備えています。
3つの取付穴(8-32タップもしくはM4)、110〜120 VAC電源もしくは220〜240 VAC電源付。
高ゲインでは使用されているオペアンプの有限利得帯域幅積による低い帯域幅を提供します。

基本仕様

特長 Si PIN-ダイオード、受光部直径0.3mm
感度波長範囲300nm〜1000nm
可変トランスインピーダンスゲイン 6.6 x 102 ... 2 x 107V/A
帯域幅 DC〜10MHz
アプリケーション 一般的なオプトエレクトロニック測定
分光測定、OEMアプリケーション
Specifications Parameter Value
検出器 材質 Si-PIN
受光部直径 0.3 mm
感度波長範囲 300 nm〜1000 nm
受光感度 0.5 A/W
ゲイン 10段階ロータリー
スイッチ
2x107, 6x106, 2x106, 6.2x105, 2.1x105,
6.2x104, 2.1x104, 6.6x103, 2.1x103, 6.6x102 V/A
応答周波数 90 kHz, 270 kHz, 500 kHz, 1.5 MHz, 4.5 MHz,
7 MHz, 8 MHz, 10 MHz, 10 MHz, 10 MHz
ローパスフィルタ 10段階ロータリー
スイッチ
10 MHz, 3 MHz, 1 MHz, 300 kHz, 100 kHz,
30 kHz, 10 kHz, 3 kHz, 1 kHz, 300 Hz
On / Off スイッチ トグルスイッチ
入力 NEP ノイズ等価電力 最大ゲインで最小 1.0 pW/√Hz
最大入射光量 20 mW CW
出力 インピーダンス 50 Ω
ノイズ(RMS) 2 mV以下, 上位3段のゲインにて4 mV以下
オフセット 20 mV以下, 上位2段のゲインにて120 mV以下
電圧 0-10 V, 0-5 V at 50 Ω load
コネクタ SMB
寸法 幅x高さx奥行き 50.8 x 25.4 x 69.0 mm
重量 100 g
電源 AC-DCコンバータ 100-120 VAC / USA, 220-240 VAC / EC or ± 15 V @ 200mA
AC adapter provided with photoreceiver
保存温度範囲 -20℃〜80℃
動作温度範囲 0℃〜60℃

D101(PDF 166KB)


D121 ローノイズ150MHzフォトレシーバ ・D121 Low noise 150 MHz photoreceiver

D121は、Siを使用したアンプ付フォトレシーバーです。
感度波長範囲は300nm〜1000nmになります。
ハイインピーダンス&出力抵抗50Ωで駆動する機能を備えています。
3つの取付穴(8-32タップもしくはM4)、110〜120VAC電源もしくは220〜240VAC電源付。

基本仕様

特長 Si-PINダイオード、受光部直径0.3 mm
感度波長範囲300 nm〜1000 nm
帯域幅 DC〜150 MHz
アプリケーション 一般的なオプトエレクトロニック測定
分光測定、OEMアプリケーション
Specifications Parameter Value
検出器 材質 Si-PIN
受光部直径 0.3 mm
感度波長範囲 900 nm〜2500 nm
受光感度 0.5 A/W
ゲイン 1 x 105 V/A
応答周波数 DC〜150 MHz(typical)
On / Off スイッチ トグルスイッチ
入力 NEP ノイズ等価電力 1.5 pW/√Hz at DC〜10 MHz, 3.5 pW/√Hz at 10〜150 MHz
最大入射光量 10 mW CW
出力 インピーダンス 50 Ω
ノイズ(RMS) 5 mV以下
オフセット 50 mV以下
電圧 0-5 V, 0-2.5 V at 50 Ω load
コネクタ SMB
寸法 幅x高さx奥行き 50.8 x 25.4 x 69.0 mm
重量 100 g
電源 AC-DCコンバータ 100-120 VAC / USA, 220-240 VAC / EC or ± 15 V @ 200mA.
AC adapter provided with photoreceiver
保存温度範囲 -20℃〜80℃
動作温度範囲 -10℃〜60℃

D121(PDF 171KB)


Siフォトディテクター・InGaAsフォトディテクター

Silicon / InGaAs Photoreceivers

フェムトワットフォトレシーバー・Femtowatt Photoreceivers Series FWPR-20


・超低ノイズ:最小NEP0.7fW/√Hz
・高ゲイン1012V/Aトランスインピーダンスアンプ内蔵
・波長帯域:320nm-1700nm

・Ultra-Low-Noise - Min. NEP 0.7 fW/√Hz
・Transimpedance Amplifier with High Gain up to 1012V/A Included
・Wavelength Range from 320nm to 1700nmn

FWPR-20-SI(PDF 162KB)

FWPR-20-IN(PDF 154KB)



ローノイズフォトレシーバー・Photoreceivers Series LCA-S-400K


・Si or InGaAs フォトダイオード
・波長帯域:400nm-1700nm
・バンド幅:DC-400kHz
・変換ゲイン:最大107V/A
・最小NEP:75fW/√Hz
・Si and InGaAs Photodiodes
・Wavelength Range from 400 to 1700nm
・Bandwidth from DC to 400 kHz
・Max. Conversion Gain 107V/W
・Min. NEP 75fW/√Hz

LCA-S-400K-SI(PDF 131KB)

LCA-S-400K-IN(PDF 131KB)



高速フォトレシーバー・Fast Photoreceivers Series HCA-S-200M


・Si or InGaAs フォトダイオード
・波長帯域:320nm-1700nm
・バンド幅:Real DC-200MHz
・変換ゲイン:最大1.9×104V/W
・最小NEP:約6pW/√Hz

・Si and InGaAs Photodiodes ・Wavelength Range from 320 to 1700nm ・Bandwidth from Real DC to 200 MHz ・Max. Conversion Gain 1.9 x 104V/W ・Min. NEP approx. 6pW/√Hz

HCA-S-200M-SI(PDF 222KB)

HCA-S-200M-IN(PDF 225KB)



高速フォトレシーバー・Fast Photoreceivers Series HCA-S-400M


・Si or InGaAs フォトダイオード
・波長帯域:320nm-1700nm
・バンド幅:DC-400MHz
・立上り時間:1nsec
・変換ゲイン:最大5.0×103V/W

・Si and InGaAs Photodiodes
・Wavelength Range from 320 to 1700nm
・Bandwidth DC to 400 MHz
・Rise Time 1ns
・Max. Conversion Gain 5.0 x 103V/W

HCA-S-400M-SI(PDF 237KB)

HCA-S-400M-IN-FC(PDF 215KB)



超高速フォトレシーバー・Ultra-Fast Photoreceivers Series HSA-X-S


・Si or InGaAs フォトダイオード
・波長帯域:320nm-1700nm
・バンド幅:10kHz-2GHz
・変換ゲイン:最大4.8×103V/W
・最小NEP:約14pW/√Hz

・Si and InGaAs Photodiodes
・Wavelength Range from 320 to 1700nm
・Bandwidth from 10kHz up to 2GHz
・Max. Conversion Gain 4.8 x 103V/W
・Min. NEP approx. 14pW/√Hz

HSA-X-S-1G4-SI(PDF 228KB)

HSA-X-S-2G-IN (PDF 239KB)



可変ゲインフォトレシーバー・Variable Gain Photoreceiver - Fast Optical Power Meter Series OE-200


・調整可能変換ゲイン:最大103V/W-1011V/W
・動作範囲:fW-mW
・波長帯域:190nm-1700nm
・NEP:最小10fW/√Hz
・バンド幅:最大500kHz
・立上り時間:700nsec
・入力:ファイバーorフリースペース
・マニュアル&PC制御

・Adjustable Conversion Gain from 103 to 1011 V/W
・Operating Range from fW to mW
・Spectral Range from 190 - 1700nm
・NEP down to 10fW/√Hz
・Bandwidth up to 500kHz
・Rise Time down to 700ns
・Fiber Optic or Free Space Input
・Calibration Traceable to NIST Standards
・Manual and Remote Control

OE-200-SI(PDF 225KB)

OE-200-UV (PDF 165KB)

OE-200-IN1(PDF 150KB)

OE-200-IN2 (PDF 150KB)

Si フォトデテクター・InGaAsフォトデテクター

Photo Detector

Newport社は高性能光学除振テーブルをはじめ、光学実験に必要な各種高精度光学部品、装置など幅広い製品を供給しています。 基礎研究からOEMまで、お客様のニーズに合わせた製品をご用意しております。 光学テーブルや真空仕様製品の特注製作については別途お問合せ下さい。


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